NMOS和PMOS是兩種常見的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)類型，它們在電子器件中具有不同的特性和應(yīng)用，下面是它們的區(qū)別：

1、構(gòu)造：NMOS和PMOS的構(gòu)造方式不同，NMOS使用N型溝道和P型襯底，而PMOS使用P型溝道和N型襯底。

2、導通特性：NMOS的導通電阻比PMOS大，因此NMOS的開關(guān)速度比PMOS慢，NMOS的導通電壓比PMOS小，因此在高電壓下，NMOS更容易被控制。

3、耗盡特性：當NMOS或PMOS中的溝道被完全填充時，它們會產(chǎn)生一個耗盡區(qū)，在耗盡區(qū)中，溝道兩側(cè)的電荷不能自由移動，因此需要額外的驅(qū)動電壓來維持導通狀態(tài)。

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